平面图形是什么东西,平面图形是什么意思

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平面图形是什么意思

证券之星消息，根据企查查数据显示天永智能(603895)新获得一项发明专利授权，专利名为“一种应用于活塞连杆柔性装配的角度及平面组合浮动机构”，专利申请号为CN202110614316.X,授权日为2024年5月31日。专利摘要：本发明提供了一种应用于活塞连杆柔性装配的角度及平面组合说完了。 。

证券之星消息，根据企查查数据显示天永智能(603895)新获得一项发明专利授权，专利名为“一种应用于活塞连杆柔性装配的角度及平面组合浮动机构”，专利申请号为CN202110614316.X,授权日为2024年5月31日。专利摘要：本发明提供了一种应用于活塞连杆柔性装配的角度及平面组合说完了。

金融界2024年5月29日消息，据国家知识产权局公告，清华大学申请一项名为“网络控制平面协议仿真方法、装置、电子设备及存储介质”的专利，公开号CN202410466728.7,申请日期为2024年4月。专利摘要显示，本发明涉及数字信息的传输技术领域，特别涉及一种网络控制平面协议仿真神经网络。

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jin rong jie 2 0 2 4 nian 5 yue 2 9 ri xiao xi ， ju guo jia zhi shi chan quan ju gong gao ， qing hua da xue shen qing yi xiang ming wei “ wang luo kong zhi ping mian xie yi fang zhen fang fa 、 zhuang zhi 、 dian zi she bei ji cun chu jie zhi ” de zhuan li ， gong kai hao C N 2 0 2 4 1 0 4 6 6 7 2 8 . 7 , shen qing ri qi wei 2 0 2 4 nian 4 yue 。 zhuan li zhai yao xian shi ， ben fa ming she ji shu zi xin xi de chuan shu ji shu ling yu ， te bie she ji yi zhong wang luo kong zhi ping mian xie yi fang zhen shen jing wang luo 。

金融界5月29日消息，有投资者在互动平台向太辰光提问：你好，公司目前有平面光波导芯片plc的产品吗？该芯片目前主要运用在哪些细分领域，谢谢。公司回答表示：公司产品包含平面光波导芯片。平面光波导芯片可应用于光通信网络系统。本文源自金融界AI电报

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金融界5月29日消息，有投资者在互动平台向麦捷科技提问：贵公司能不能生产伊戈尔那种变压器。公司回答表示：子公司金之川主要向通讯、汽车及新能源领域客户提供平面变压器、叠合式高频变压器等磁性器件产品。本文源自金融界AI电报

且任意两个所述推压件在第一方向和/或第二方向上的间距能够调节；驱动组件，与所述支撑架连接，所述驱动组件驱动所述支撑架移动，以使所述推压件推压电池中对应的电池单体。本申请的整形装置能够对不同规格尺寸的电池进行加压整形，使对应的电池的平面度符合要求，整形装置适应性还有呢？

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沿工件的弯曲路径依次设有首段检具体、中段检具体和末段检具体，每段检具体上至少设有3块基准块。本实用新型能有效检测工件的折弯精度、安装孔精度及安装面平面度，分体的每段检具体上至少设置3个基准块，便于对检具体快速找位，然后建立基准坐标系，快速平稳的实现检测。本文还有呢？

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证券之星消息，根据企查查数据显示江丰电子(300666)新获得一项发明专利授权，专利名为“一种平面度≤0.05mm铝薄板的加工方法”，专利申请号为CN202210872420.3,授权日为2024年5月24日。专利摘要：本发明涉及一种平面度≤0.05mm铝薄板的加工方法，所述加工方法包括：待加工的等会说。

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5月16日，泰国适逢雨季，曼谷街头市民撑伞出行。海外网5月16日电据法新社5月16日报道，泰国一名政府高官透露，该国首都曼谷可能难以适应全球变暖趋势，以及海平面上升的问题，政府持续研究应对措施，也一直在考虑“迁都”。泰国气候变化和环境部副部长帕维奇(Pavich Kesavawong)后面会介绍。

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金融界5月16日消息，有投资者在互动平台向欧莱新材提问：公司研究的高性能氧化物TFT材料是否可用于AIPC?公司回答表示：公司生产的高性能溅射靶材可应用于下一代高性能氧化物TFT显示技术，可用于LCD-TFT、Mini/Micro-LED和OLED各类平面显示产品中，可显著提升显示器响应速说完了。

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金融界2024年5月11日消息，据国家知识产权局公告，比亚迪半导体股份有限公司取得一项名为“平面栅SiCMOSFET及其制造方法“授权公告号CN112582461B,申请日期为2019年9月。专利摘要显示，本公开涉及一种平面栅SiC MOSFET及其制造方法，属于半导体领域，能够精准实现短沟等会说。

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